[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410075895.1 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1716633A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 梁泰勋;李基龙;徐晋旭;朴炳建 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；半导体层图案，其形成在所述衬底上，该半导体层图案具有沟道层，所述沟道层没有籽晶并且没有晶界；栅绝缘膜，其形成在所述半导体层图案上；以及栅电极，其形成在所述栅绝缘膜上。
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