[发明专利]形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法无效
| 申请号： | 200410075239.1 | 申请日： | 2004-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1595614A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 米屋伸英 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造场效应晶体管的方法，该晶体管具有牢固地粘附于栅绝缘膜的金属单层膜的源/漏电极。该方法由以下步骤组成：在支承体上形成栅极，在支承体和栅极上形成栅绝缘膜，用硅烷偶合剂对栅绝缘膜表面进行处理，在已用硅烷偶合剂处理过的栅绝缘膜13上，形成金属单层膜的源/漏电极，以及在源/漏电极之间保留的栅绝缘膜上形成半导体层的沟道形成区域。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 单层 制造 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.在基底表面上形成金属单层膜的方法，所述方法包含在形成该金属单层膜之前用硅烷偶合剂处理该基底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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