[发明专利]半导体器件、其制造方法及摄影机有效
| 申请号： | 200410075206.7 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1591887A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 田中浩司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H04N5/225 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体器件、其制造方法及摄影机。半导体器件具有通过光电转换传输存储电荷的传输沟道部(12)、在传输沟道部(12)上形成的绝缘膜(13)、用于通过绝缘膜(13)将传输电压施加到传输沟道部(12)的传输电极(15)，绝缘膜(13)具有第1膜厚和比第1膜厚薄的第2膜厚，在与传输沟道(12)的传输方向垂直的宽度方向上的传输电极(15)的端部之下的绝缘膜(13)的膜厚为第1膜厚，在与传输方向垂直的宽度方向上的传输沟道部(12)的中央部之上的绝缘膜(13)的膜厚为第2膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 摄影机 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，具有通过光电转换来传输被存储的电荷的传输沟道部、在传输沟道部上形成的绝缘膜、用于通过上述绝缘膜将传输电压施加到上述传输沟道部的传输电极，其特征在于，上述绝缘膜具有第1膜厚和比上述第1膜厚薄的第2膜厚；通过传输沟道部在与电荷的传输方向垂直的宽度方向上的传输电极的端部之下的上述绝缘膜的膜厚为第1膜厚；在与传输方向垂直的宽度方向上的传输沟道部的中央部之上的上述绝缘膜的膜厚为第2膜厚。上述传输电极的下表面为沿上述绝缘膜向下的凸状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
