[发明专利]发光二极管的结构

摘要

本发明涉及具有短周期超晶格数字接触层的氮化镓是发光二极管的结构，包含基板，双重缓冲层，n型氮化镓层，短周期超晶格数字接触层，活性发光层，p型被覆层，及接触层。在制造高掺杂浓度(n＞1×10¹⁹cm^－3)且低电阻的厚n型氮化镓接触层时，不会于厚n型氮化镓层内，发生容易龟裂或点缺陷(pin hole)现象，维持重掺杂氮化镓接触层品质。其次，通过短周期重掺杂硅的氮化铝镓铟(n⁺⁺－Al_1－x－yGa_xIn_yN)形成超晶格结构，具有短周期超晶格数字接触层，低电阻值的n型接触层于氮化铟镓/氮化镓多重量子井结构发光二极管。然后，便于制作n型欧姆接触电极层，使得整体电特性变好，降低整体元件的操作电压。

主权项

1.一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板，其材质是氧化铝单晶(Sapphire)；一双重缓冲层(double buffer layer)，位于该基板上，其包含：一第一缓冲层(first buffer layer)，其材质是氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，位于该基板上；一第二缓冲层(second buffer layer)，其材质是氮化硅(SiN)，位于该第一缓冲层上；一n型氮化镓(GaN)层，是位于该双重缓冲层上；一短周期超晶格数字接触层，是位于该n型氮化镓(GaN)层上，其包含：复数个基础层，是位于该n型氮化镓(GaN)层上，该基础层包含：一第一基层，其材质是硅(Si)重掺杂的n型氮化铝镓铟(n++-Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；及一第二基层，位于该第一基层上，其材质是氮化硅(SiN)；一活性发光层，其材质是氮化铟镓(InGaN)，是位于该短周期超晶格数字接触层上；一p型被覆层，其材质是镁掺杂(Mg-doped)氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，且位于该活性发光层上；及一接触层，其材质是镁掺杂(Mg-doped)p型氮化铝镓铟(Al1-x-yGaxInyN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，是位于该p型被覆层上。