[发明专利]一种快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管

摘要

本发明公开了一种快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管，由阳极p⁺(SiGe)区、n^－区及阴极区构成；阳极p⁺区为应变SiGe材料，其它各区均为Si材料；n^－区分为多层渐变掺杂，掺杂浓度从阳极边界至阴极边界由低至高渐变；阴极区为交替的p⁺、n⁺结构，在反向关断时多数载流子和少数载流子均能通过界面，使阴极区具有理想欧姆接触的特性。本发明在通态压降与反向阻断电压没有明显变化的前提下，提高了功率开关二极管的开关速度，反向恢复时间只有常规p⁺(SiGe)－n^－－n⁺二极管的三分之一；反向峰值电流也降低了二分之一；反向恢复软度因子S提高了近2倍；漏电流下降了约1－2个数量级，并使器件的工作温度容差变大。该器件的制作工艺与常规硅工艺兼容，很容易集成于功率IC中。

主权项

1.一种快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管，由阳极p+(SiGe)区、n-区及阴极区构成；其特征是阳极p+区为应变SiGe材料，其它各区均为Si材料；n-区为多层渐变掺杂；阴极区为交替的p+、n+结构。