[发明专利]半导体材料的线切割液无效
| 申请号： | 200410072301.1 | 申请日： | 2004-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1618936A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;刘钠;康静业;周建伟;王胜利 | 申请（专利权）人： | 刘玉岭 |
| 主分类号： | C10M107/32 | 分类号： | C10M107/32;H01L21/304 |
| 代理公司： | 天津德赛律师事务所 | 代理人： | 江增俊 |
| 地址： | 300130天津市红*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体材料的线切割液，其成分和重量％比组成如下：聚乙二醇10－10000 35－90，胺碱8－30，渗透剂1－5，醚醇类活性剂0.5－5，螯合剂0.5－5，去离子水0－55。本发明的优点是：1.将现有中性或酸性线切割液改进为具有与硅发生化学作用的碱性线切割液，能避免设备的酸腐蚀和降低线锯断线率。2.有效地解决了切屑和切粒粉末再沉积的问题，避免了硅片表面的化学键合吸附现象，而便于硅片的清洗和后续加工。3.渗透、润滑和冷却作用显著，所得切片的表面损伤、机械应力、热应力及金属离子对硅片的污染明显降低。4.成本价格较低，有利于取代进口线切割液。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 切割 | ||
【主权项】：
1、半导体材料的线切割液，其特征在于线切割液的成分和重量％比组成如下：聚乙二醇10-10000 35-90， 胺碱 8-30，渗透剂 1-5， 醚醇类活性剂 0.5-5，螯合剂 0.5-5， 去离子水 0-55。
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