[发明专利]铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 200410068962.7 | 申请日： | 2004-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1644562A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李敬锋;张波萍;张利民;张海龙 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京科技大学;日本丰田汽车株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;H01L41/187;C04B35/622 |
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| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于功能陶瓷材料领域的一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明提供的铌酸钾钠系压电陶瓷的组成成分以式(1－n)KxNa1－xNbO3·nMH表示，是采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备的，将原料研磨混和后，先经过焙烧合成铌酸盐，再得到的粉料通过放电等离子烧结(SPS)，然后在含氧气氛中进行退火处理制备出压电/铁电陶瓷材料。该压电陶瓷组合物不含铅，并具有良好的压电性能。烧结温度低，烧结时间短，可获得细小、均匀的组织，高致密度并能保持原始材料的自然状态；本发明工艺在于放电等离子、放电冲击压力及电场等的共同作用下，使试样活化表面、加速扩散、提高塑性变形。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸钾钠系无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷，其特征在于：所述铌酸钾钠系无铅压电陶瓷的组成成分以式(1-n)KxNa1-xNbO3·nMH表示，(式中MH为金属氧化物或碳酸盐，M为不同价金属元素，H为o或co3根，0.21≤x≤0.95，0≤n≤0.30)，NaNbO3与KNbO3两者的和占材料总量的70～100wt％之间，并复合0～30wt％的MH。
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