[发明专利]双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410064035.8 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1585135A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 梁奉吉;申宪宗;朴康旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极晶体管及其制造方法，该双极晶体管包括：具有第一导电型的集电区的衬底，在集电区上水平延伸的第二导电型的基极层，以及至少部分地包含在基极层中的第一导电型的发射区。该双极晶体管也包括面对发射区的上表面的发射极电极，以及面对基极层的上表面的基极电极。基极电极的至少一部分的垂直剖面等于或大于发射极电极的垂直剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极晶体管，包括：具有第一导电型的集电区的衬底；在所述集电区上水平延伸的第二导电型的基极层；至少部分包含在所述基极层中的第一导电型的发射区；面对该发射区的上表面的发射极电极；面对该基极层的上表面的基极电极；其中所述基极电极的至少一部分的垂直剖面等于或大于所述发射极电极的垂直剖面。
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