[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：在衬底的单元区和外围区中形成栅极；在栅极和衬底上沉积缓冲氧化物层；对衬底的最终结构退火；在缓冲氧化物层上沉积氮化物间隔层；在氮化物间隔层上沉积氧化物间隔层；在衬底的外围区形成氧化物间隔；除去残留在单元区中的氧化物间隔层。在沉积缓冲氧化物层后另外进行退火步骤，以提高面间表面特性和膜的质量，以便阻止氧化蚀刻剂在湿法浸泡工艺中渗透到硅衬底中。阻止在硅衬底中产生不必要的空隙。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：i)分别在形成于硅衬底上的单元区和外围区中形成栅极；ii)在栅极和硅衬底上沉积缓冲氧化物层；iii)以当在其上形成氮化物层同时氮化缓冲氧化物层的方式，通过使用NH3对硅衬底的最终结构进行退火，并将氮扩散到缓冲氧化物层中，以使得在缓冲氧化物层中形成氧氮化合物层，由此增强了缓冲氧化物层与硅衬底之间的面间表面特性；iv)在缓冲氧化物层上沉积氮化物间隔层；v)在氮化物间隔层上沉积氧化物间隔层；vi)当掩盖硅衬底的单元区时，通过蚀刻氧化物间隔层的整个表面，在硅衬底的外围区域形成氧化物间隔；以及vii)当掩盖硅衬底的外围区域时，通过使用氮化物间隔层作为蚀刻阻挡层，用湿法浸泡工艺除去残留在单元区中的氧化物间隔层。