[发明专利]处理方法和处理系统有效
| 申请号： | 200410059896.7 | 申请日： | 2004-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1574242A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大野刚;菊池俊彦;守屋真知;斋田喜孝 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/027;H01L21/66;G03F7/42;G03F7/26;G01B11/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统(1)备有减压处理装置(10)、液体处理装置(20)、构造判别装置(30)和系统控制装置(40)。减压处理装置(10)将抗蚀剂图案作为掩模对晶片实施蚀刻处理。通过该蚀刻处理在晶片表面上附着聚合物等的不要部位。液体处理装置(20)除去附着在晶片表面上的不要部位。构造判别装置(30)用椭圆偏光等的散射测量法判别除去不要部位的晶片的表面构造。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种处理方法，其特征在于：具有对被处理体实施预定处理的处理步骤；除去通过所述预定处理在被处理体表面上生成的不要部位的不要部位除去步骤；和评价通过所述不要部位除去步骤除去不要部位的被处理体的表面构造的表面构造评价步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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