[发明专利]上发光型有机发光二极管像素的制造方法及其结构无效
| 申请号： | 200410057274.0 | 申请日： | 2004-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1743928A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴永富;郑君丞;叶永辉 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/00;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;徐金国 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种上发光型有机发光二极管像素的制造方法和结构，其制造方法步骤包括：在基板上限定出至少两个多晶硅岛并限定出掺杂植入区域；依次淀积栅极绝缘层和栅极金属层，并限定出栅极；进行离子植入，形成掺杂区域；淀积层间介电层，并挖开接触孔；淀积源极/漏极金属层，限定出源极/漏极图案，并且该源极/漏极图案延伸至上发光型有机发光二极管的像素区，以作为该上发光型有机发光二极管的下电极。其结构上的特征在于，该上发光型有机发光二极管的下电极由该薄膜晶体管的源极/漏极金属层延伸至该上发光型有机发光二极管的像素区形成。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 有机 发光二极管 像素 制造 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1、一种上发光型有机发光二极管的像素制造方法，其中以互补金属氧化物半导体CMOS作为驱动，其特征在于，该方法包括如下步骤：(a)提供一基板，在该基板上限定出至少两个多晶硅岛；(b)在该基板上限定出N+植入区域；(c)依次淀积栅极绝缘层和栅极金属层，并限定出栅极；(d)进行N-植入，以形成轻掺杂漏极LDD区域；(e)用光阻遮住N型元件的预定区，并暴露P型元件的预定区，以进行P+掺杂；(f)淀积层间介电层，并挖开接触孔；以及(g)淀积源极/漏极金属层，限定出源极/漏极图案，并且该源极/漏极金属延伸至上发光型有机发光二极管的像素区，以作为该上发光型有机发光二极管的下电极。
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