[发明专利]动态随机存取存储单元及其制造方法

摘要

一种动态随机存取存储单元，其包括配置在一基底上的半导体柱体、配置在半导体柱体下部的侧壁上的电容器以及配置在半导体柱体上部的侧壁上的垂直式晶体管。而垂直式晶体管包括第一掺杂区、第二掺杂区、栅极以与门绝缘层。而第一掺杂区位于半导体柱体的侧壁中且与电容器相连接，且第二掺杂区位在半导体柱体上部中。栅极则配置在第一掺杂区与第二掺杂区之间的半导体柱体侧壁上，而栅绝缘层配置在侧壁与栅极之间。

主权项

1、一种动态随机存取存储单元，包括：一半导体柱体，配置于一基底上；一电容器，配置于该半导体柱体的下部的一侧壁上，且该电容器包括：一第一电极，配置于该半导体柱体的下部的该侧壁上；一介电层，覆盖于该半导体柱体的下部的该侧壁上；一第二电极，覆盖于该介电层上；以及一垂直式晶体管，配置于该半导体柱体的上部的该侧壁上，且该垂直式晶体管包括：一第一掺杂区，位于该半导体柱体的该侧壁中，并与该电容器的该第二电极相连接；一第二掺杂区，位于该半导体柱体顶部之中；一栅极，配置在该第一掺杂区与该第二掺杂区间的该侧壁上；以及一栅绝缘层，配置在该栅极与该侧壁间。