[发明专利]具有一分开井结构的隔离的高电压LDMOS晶体管

摘要

本发明为一种具有一分开井结构的隔离的高电压LDMOS晶体管，包含在N型井区中的漏极延伸区域内形成的分离的P型井区，在N型井区的漏极延伸区域内的P型井区被分开，以在N型井区形成一分开的接面场效(split junction－field)，分开的N型井区与P型井区使漂移区空乏，而将电场的极大值转移至N型井区，如此可达到较高的崩溃电压(breakdown voltage)，并且容许N型井区具有较高的掺杂浓度。此外，本发明所揭示的LDMOS包含一内嵌于源极(source)扩散区之下的N型井区，使得源极区具有低阻抗的路径，以限制漏极与源极之间的晶体管电流。

主权项

1.一种具有一分开井结构的隔离的高电压LDMOS晶体管，其特征在于，包括：一P型基极；一第一扩散区与具有N型导电离子的一第二扩散区，其中该第一扩散区与该第二扩散区于该P型基板内形成一N型井区，而其中该第一扩散区形成一漏极延伸区；一漏极扩散区，用以形成一漏极区，该漏极扩散区具有N+型导电离子，其中该漏极区位于该漏极延伸区内；一第三扩散区，用以于该N型井区的该漏极延伸区内分别形成一P型井区，该第三扩散区具有P型导电离子；一源极扩散区，用以形成一源极区，该源极扩散区具有N+型导电离子，其中一传导通道穿过该N型井区，而其中该传导通道连接该源极区与该漏极区；一接点扩散区，用以形成一接点区，该接点扩散区具有N+型导电离子；以及一第四扩散区，用以形成一隔离的P型井区以防止崩溃，该第四扩散区具有P型导电离子，其中该隔离的P型井区位于该第二扩散区以将该源极区与该接点区围起，其中由该第二扩散区形成的N型井区为该源极区产生一低阻抗路径，而其中该第二扩散区形成的N型井区限制该漏极与该源极之间的一晶体管电流。