[发明专利]可增加自发光线射出效率的发光二极管无效
申请号: | 200410054588.5 | 申请日: | 2004-07-23 |
公开(公告)号: | CN1670972A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 李和成;林晖力;杜庆红 | 申请(专利权)人: | 代康光纤有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 李树明 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种可增加自发光线射出效率的发光二极管,包含一发光层、一半导体单元,及一可透光的扩散电流单元。该半导体单元设置于该发光层上,该扩散电流单元设置于该半导体单元上,并具有一复合金属层,及一设置于该复合金属层上的铟锡氧化物层,且该复合金属层的厚度极薄而趋近于透明,当施加一电压于该发光二极管上时,该扩散电流单元可使电流扩散均匀,而使该发光层产生多数光子后向外输出光线,以提高该发光二极管的光线输出率。 | ||
搜索关键词: | 可增加 自发 光线 射出 效率 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种可增加自发光线射出效率的发光二极管,包含一发光层,及一与该发光层连结的半导体单元,其特征在于:该可增加自发光线射出效率的发光二极管更包含一扩散电流单元,该扩散电流单元设置于该半导体单元上,并具有一复合金属层,及一设置于该复合金属层上的铟锡氧化物层,且该复合金属层的厚度极薄使光线可穿透。
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