[发明专利]准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器无效
| 申请号： | 200410050003.2 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1713472A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 丁颖;王圩;王书学;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导层上，以实现宽带增益；一上波导层，该上波导层制作在准量子阱有源区上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；该包层、接触层形成带模斑转换器的脊形波导。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 有源 薄层 波导 半导体 放大器 集成 转换器 | ||
【主权项】：
1、一种准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器，其特征在于，其中包括：一铟磷衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在铟磷衬底上，以便消除铟磷衬底上的微缺陷；一下波导层，该波导层制作在缓冲层上；一准量子阱有源区，该准量子阱有源区制作在波导层上，以实现宽带增益；一上波导层，该上波导层制作在准量子阱有源区上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；该包层、接触层形成带模斑转换器的脊形波导。
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