[发明专利]制备含有三甲基甲硅烷基端基的甲基氢聚硅氧烷的方法有效

专利信息
申请号: 200410048981.3 申请日: 2004-06-14
公开(公告)号: CN1712429A 公开(公告)日: 2005-12-28
发明(设计)人: 扎比内·赫夫曼;吉塞拉·京特;霍尔格·瓦德维茨;米夏埃多·梅斯纳 申请(专利权)人: 瓦克化学有限公司
主分类号: C08G77/06 分类号: C08G77/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 制备含有三甲基甲硅烷基端基的甲基氢聚硅氧烷的方法,其中,在第一步骤内,在密度低于0.9kg/l的水不溶性有机溶剂存在下,相对于每摩尔可水解氯,甲基二氯硅烷及三甲基氯硅烷与至多0.5摩尔水反应而产生部分水解产物及气态氯化氢,在第二步骤内,为除去仍存在的SiCl基团,用水处理所述部分水解产物,形成盐酸,以及在第三步骤内,将第一和/或第二步骤中所得到的易挥发的环型甲基氢硅氧烷分离出来,并全部或部分加以平衡而生成低挥发的、主要为直链型的甲基氢聚硅氧烷。
搜索关键词: 制备 含有 甲基 硅烷 基端基 氢聚硅氧烷 方法
【主权项】:
1.一种制备含有三甲基甲硅烷基端基的甲基氢聚硅氧烷的方法,其中,在第一步骤内,在密度低于0.9kg/l的水不溶性有机溶剂存在下,相对于每摩尔可水解氯,甲基二氯硅烷及三甲基氯硅烷与至多0.5摩尔水反应,产生部分水解产物及气态氯化氢,在第二步骤内,为除去仍存在的SiCl基团,用水处理所述部分水解产物,形成盐酸,以及在第三步骤内,将第一和/或第二步骤中得到的易挥发的环型甲基氢硅氧烷分离出来,并全部或部分加以平衡,生成低挥发的、主要为直链型的甲基氢聚硅氧烷。
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