[发明专利]独立式刷新记忆体电容的方法及装置有效
| 申请号： | 200410047972.2 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1637941A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林玉漳;杜盈德 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/402 | 分类号： | G11C11/402;G11C11/408 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种独立式刷新记忆体电容的方法及装置，首先刷新控制器(Refresh Controller)取得一个刷新控制信号。接着，将此刷新控制信号输入一个预解码列位址计数器(Pre－decoder Row Address Counter)中进行计数后，输出计数所得的预解码列位址。接下来，将所获得的预解码列位址，直接输入至列解码列位址再驱动器(Pre－decoder Row AddressRe－driver)进行再驱动，最后根据此再驱动后的预解码列位址进行记忆体电容的刷新动作。 | ||
| 搜索关键词： | 立式 刷新 记忆体 电容 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种独立式刷新记忆体电容的方法，适用于至少包括一刷新控制器耦接至一预解码列位址计数器的输入端，并且该预解码列位址计数器的输出端耦接至一预解码列位址再驱动器的输入端的系统中，该独立式刷新记忆体电容的方法特征在于其包括以下步骤：该刷新控制器提供一刷新控制信号；该预解码列位址计数器依据该刷新控制信号进行计数，且依据计数结果，输出相应的一预解码列位址；将该预解码列位址，直接输入该预解码列位址再驱动器得到一列位址；以及依据该预解码列位址，刷新记忆体电容。
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