[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200410046413.X | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1573483A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 安田亨宁;田中宏明 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1343;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管基板及其制造方法，其中将在空气中容易腐蚀的栅极引线122暴露在当把最终的TFT基板100中的包括栅极端子和漏极端子的内显示区域与静电保护引线4和静电保护元件19分开的时候形成的切割面上，在栅极端子3和漏极端子8的附近切断由耐蚀的铟钛氧化物(ITO)形成的栅极端电极115。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，包括：第一基板；栅极引线，被布置在第一基板上并具有沿基板边缘形成的栅极端子；第一绝缘膜，被布置在第一基板上以便覆盖栅极引线；漏极引线，其横过栅极引线并具有沿基板边缘形成的漏极端子；第二绝缘膜，被形成在第一绝缘膜上以便覆盖漏极引线；以及分别覆盖栅极端子孔和漏极端子孔的栅极端电极和漏极端电极，所述栅极端电极和漏极端电极分别被形成在栅极端子和漏极端子上的绝缘膜中，并延伸到栅极端子和漏极端子的外面，所述栅极端电极和漏极端电极由具有在空气中耐蚀的特性的材料形成。
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