[发明专利]摄像元件和它的制造方法有效
申请号: | 200410045793.5 | 申请日: | 2004-05-28 |
公开(公告)号: | CN1574382A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 川崎隆之 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘宗杰;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的课题是一种具有半导体衬底的摄像元件,包括:光接收部分13、电荷读出部分23和电荷转移部分15。元件100具有非掺杂区“A”和由第一杂质制成的层。前者在光接收表面内远离电荷读出部分一侧的边界线,它不包括确定电荷读出部分的阈值的第一杂质。后者在光接收表面内在非掺杂区外侧的掺杂区,在电荷读出部分和在电荷转移部分形成。 | ||
搜索关键词: | 摄像 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种摄像元件,它具有一种导电类型的半导体衬底,至少包括:光接收部分(13),用于把入射到光接收表面上的光变换为电荷;电荷读出部分(23),用于读出由光接收部分产生的电荷;和电荷转移部分(15),用于输出由电荷读出部分读出的电荷;该摄像元件(100)的特征在于,具备:非掺杂区(A),它在光接收部分的光接收表面内远离电荷读出部分一侧的边界线处形成,确定电荷读出部分的阈值的第一杂质没有掺入其中;以及由上述第一杂质制成的层,该层至少在光接收部分的光接收表面内除了非掺杂区以外的掺杂区、在电荷转移部分和在电荷读出部分形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410045793.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可变阀定时控制装置
- 下一篇:轻型钢加肋通道、自安置条板和框架系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的