[发明专利]低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法无效
| 申请号： | 200410044605.7 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1696332A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨少延;刘志凯;柴春林;陈诺夫;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 低能 离子束 辅助 脉冲 激光 沉积 氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，氧化物薄膜材料的沉积生长是在引入低能离子束装置的脉冲激光沉积系统中进行，其中：脉冲激光沉积系统由脉冲激光器与超高真空生长室两部分构成，超高真空生长室内有激光靶和衬底；低能离子束装置由离子源、磁分析器、磁或电四极透镜、静电偏转板和减速透镜及束流剂量控制器等构成，减速透镜安装在超高真空生长室内；低能离子束装置用来产生辅助脉冲激光沉积法生长的同位素纯低能离子；其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
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