[发明专利]激光器照射装置、激光器照射方法以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的课题是提供一种能够显著地扩展光束点的面积，并使结晶性差的区域所占的比率下降的激光器照射装置。此外本发明的课题还涉及提供一种能够在使用连续振荡的激光器的同时提高生产率的激光器照射装置。进而，本发明的课题还涉及提供使用了该激光器照射装置的激光器照射方法以及半导体装置的制作方法。通过高次谐波的脉冲振荡的第1激光来对熔化了的区域照射连续振荡的第2激光。具体的是第1激光具有与可视光线相同程度或者短的波长(830nm，最好是780nm以下的程度)。通过根据第1激光而引起的半导体膜熔化，对第2激光的半导体膜的吸收系数就显著升高了，第2激光也变得容易被半导体膜吸收了。

主权项

1.一种激光器照射装置，具有：第1激光器振荡器，对具有对半导体膜的吸收系数为1×104cm-1 以上的波长的第1激光进行脉冲振荡；控制所述第1激光的照射区域的形状及其位置的单元；第2激光器振荡器，对第2激光进行连续振荡；控制所述第2激光的照射区域的形状及其位置，以使与所述第1激光的照射区域重叠的单元；控制所述第1激光的照射区域和所述第2激光的照射区域的相对于半导体膜的相对位置的单元，其特征在于，所述第1激光的照射区域以纳入所述第2激光的照射区域内的方式来重叠。