[发明专利]物理气相沉积方法及其设备无效
| 申请号： | 200410039679.1 | 申请日： | 2004-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1670240A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 陈泰原 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种物理气相沉积设备，此沉积设备由一反应室、一靶材背板、一晶片承载基座、一靶材与一移动式磁控装置所构成。其中，靶材背板配置于反应室的顶部。此外，晶片承载基座配置于反应室的底部。另外，靶材配置于靶材背板的表面上，且与晶片承载基座相对。此外，移动式磁控装置配置于反应室外，且位于靶材上方。由于利用此沉积设备来进行物理气相沉积制造工艺时，可以藉由调整移动式磁控装置的位置，而使得移动式磁控装置的磁极与靶材轰击面之间的距离保持一致，因此靶材轰击面所感应到的磁场强度可以保持一致。 | ||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
1.一种物理气相沉积设备，包括：一反应室；一靶材背板，配置于该反应室的顶部；一晶片承载基座，配置于该反应室的底部；一靶材，配置于该靶材背板的表面上，且与该晶片承载基座相对；以及一移动式磁控装置，配置于该反应室外，且位于该靶材上方，而且在进行一物理气相沉积制造工艺时，可以藉由调整该移动式磁控装置的位置，而使该移动式磁控装置的磁极与靶材轰击面之间的距离保持一致。
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