[发明专利]接触孔形成方法、薄膜半导体装置的制法、电子器件及其制法无效
| 申请号： | 200410039649.0 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1531061A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 佐藤充;汤田坂一夫 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/30;H01L21/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种不使用真空装置形成接触孔的方法，将与多晶硅膜(14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层(42)。接着，灰化除去掩模柱(40)，形成可以贯通绝缘层(42)、栅极绝缘膜(26)的第2接触孔(44)、第1接触孔(28)。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 薄膜 半导体 装置 制法 电子器件 及其 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔形成方法，形成用于电连接隔着绝缘膜设置的第1导电部与第2导电部的接触孔，其特征在于，具有：在上述第1导电部上的接触孔的形成区域上设置掩模部件的掩模形成工序；在已除去上述掩模部件的整个基板上形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；和除去上述掩模部件，在上述绝缘膜上形成贯通孔的掩模部件除去工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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