[发明专利]半导体器件的形成方法无效
| 申请号： | 200410036680.9 | 申请日： | 2004-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1551299A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 東川誠 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/18;H01L31/075;H01L27/142;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种利用高频等离子体CVD法形成半导体器件的方法，所述半导体器件在衬底上具有由硅系列薄膜构成的多个pin结，其特征在于，按下述顺序进行如下工序：形成第一半导体层的工序；用包含0.01～0.5重量％的水分的部件接触覆盖上述第一半导体层的表面的工序；除掉上述部件的工序；在上述第一半导体层上形成第二半导体层的工序。根据本发明，能够高效率地形成具有层叠了许多硅系列薄膜的结构的半导体器件，能够形成批间特性的偏差少、具有更优良的均匀性和特性的半导体器件，另外，能够提供一种紧密性和耐环境性优良的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用高频等离子体CVD法形成半导体器件的方法，所述半导体器件在衬底上具有由硅系列薄膜构成的多个pin结，其特征在于，按下述顺序进行如下工序：形成第一半导体层的工序；用含有0.01～0.5重量％的水分的部件接触、覆盖上述第一半导体层的表面的工序；除掉上述部件的工序；以及在上述第一半导体层上形成第二半导体层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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