[发明专利]制造具有不同类型的晶体管的器件的方法有效
| 申请号： | 200410036660.1 | 申请日： | 2004-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1551333A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 陈佳;安德里亚斯·E·格拉斯曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;英芬能技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种关于制造具有不同类型的晶体管的器件的方法和结构，其中该器件中不同类型的晶体管的栅极包括不同的材料。该方法包括在栅极电介质层上沉积硅层，在硅层上沉积第一类型的栅极材料，从将要形成第二类型的栅极的区域去除第一类型的栅极材料，在已经去除第一类型的栅极材料的区域中在硅层上沉积第二类型的栅极材料，以及同时图案化第一类型的栅极材料和第二类型的栅极材料，形成第一类型和第二类型的栅极，并且对两种类型的栅极材料退火及转变。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 不同类型 晶体管 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有不同类型的晶体管的器件的方法，其中在所述器件中所述不同类型的晶体管的栅极包括不同的材料，所述方法包括：在栅极电介质层上沉积硅层；在所述硅层上沉积第一类型的栅极材料；从将要形成至少一个第二类型的栅极的区域去除所述第一类型的栅极材料；在所述去除步骤中已经去除所述第一类型的栅极材料的区域中在所述硅层上沉积第二类型的栅极材料；以及同时图案化所述第一类型的栅极材料和所述第二类型的栅极材料，形成至少一个第一类型的栅极和所述至少一个第二类型的栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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