[发明专利]具有高灵敏度栅极的场效应晶体管有效
| 申请号： | 200410034820.9 | 申请日： | 2004-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1591898A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 格什·布鲁姆伯格;彼得·B.·利托伍德 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管，包括：源极、漏极、栅极、栅极介电层，和被设置用作所述晶体管的有源沟道的半导体层。所述有源沟道被构成用于在源极和漏极之间传送电流，并具有对施加于栅极的电压敏感的导电率。所述栅极介电层位于所述栅极和所述半导体层之间，并包括准一维电荷或自旋密度波动材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 灵敏度 栅极 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：栅极，源极和漏极；被定位用作所述晶体管的有源沟道的半导体层，所述有源沟道被构成用于在源极和漏极之间传送电流，并具有对施加于栅极的电压敏感的导电率；以及栅极介电层，其包括准一维电荷或自旋密度波动材料，并位于所述栅极和所述半导体层之间。
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