[发明专利]旋涂材料层的平坦化方法及光致抗蚀剂层的制造方法无效
| 申请号： | 200410033401.3 | 申请日： | 2004-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1680876A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 卢俊男;蔡念谕;杨淑卿 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种旋涂材料层的平坦化方法，此方法提供基底，此基底中已形成有多个开口。然后，于基底上形成旋涂材料层，此旋涂材料层填满开口。接着，进行等离子体蚀刻工艺，移除部分旋涂材料层直到暴露出基底表面。其中在此等离子体蚀刻工艺中，冷却基底，使基底表面与开口内的旋涂材料层维持一蚀刻选择比，以得到一平坦化的旋涂材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 平坦 方法 光致抗蚀剂层 制造 | ||
【主权项】：
1、一种旋涂材料层的平坦化方法，至少包括：提供一基底，该基底中已形成有至少一个开口；于该基底上形成一旋涂材料层，该旋涂材料层填满该开口；以及进行一等离子体蚀刻工艺，移除部分该旋涂材料层直到暴露出该基底表面，其中在该等离子体蚀刻工艺中，冷却该基底，使该基底表面与该开口内的该旋涂材料层维持一蚀刻选择比，以得到一平坦化的旋涂材料层。
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