[发明专利]非挥发存储器的结构与制造方法无效
| 申请号： | 200410033269.6 | 申请日： | 2004-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1677648A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 张格荥;黄丘宗 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发存储器的结构与制造方法，此制造方法于基底上形成掩模层，再于掩模层与基底中形成一沟槽，然后在沟槽中形成穿隧介电层。接着在沟槽中形成一浮置栅，再去除掩模层，然后于浮置栅一侧的基底中形成高电压掺杂区，其同时作为第一源/漏极区与一控制栅，再于浮置栅另一侧的基底中形成第二源/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 存储器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发存储器的制造方法，包括：于一基底上形成一掩模层；于该掩模层与该基底中形成一沟槽；在该沟槽中形成一穿隧介电层；于该沟槽中形成一浮置栅；去除该掩模层；于该浮置栅一侧的该基底中形成一高电压掺杂区，该高电压掺杂区同时作为一第一源/漏极区与一控制栅；以及于该浮置栅另一侧的该基底中形成一第二源/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
