[发明专利]抗蚀膜的形成方法及光掩膜的制造方法无效
申请号: | 200410032480.6 | 申请日: | 2004-04-09 |
公开(公告)号: | CN1536437A | 公开(公告)日: | 2004-10-13 |
发明(设计)人: | 元村秀峰 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/16 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供不使用翻转基板的旋转结构、干燥涂膜时不在其厚度方向产生瘀斑并且所形成的抗蚀膜具有很高的厚度均一性的抗蚀膜的形成方法以及应用该形成方法的光掩膜的制造方法。该方法中,在基材位置A处设置吸板19。在朝下的吸附面19’上吸附基板20,所述基板20的涂布面朝下。通过电动机17使吸附有基板20的吸板19移动,抗蚀液通过突出的喷嘴47浸湿基板20的下面,基板20随着吸板19以固定的速度移动到涂布终止位置,在此过程中进行涂布工序,涂布工序结束后,在保持基板朝下的状态下,利用电动机17从涂布终止位置开始,按照涂布时基板移动方向的反方向以固定的速度移动基板,移动的同时进行抗蚀膜的干燥。 | ||
搜索关键词: | 抗蚀膜 形成 方法 光掩膜 制造 | ||
【主权项】:
1.抗蚀膜的形成方法,其是在基板的涂布面涂布抗蚀膜的方法,所述抗蚀膜的形成方法包括如下涂布抗蚀膜的工序,通过虹吸作用,使蓄积在涂布面下方的涂布液上升,所述涂布面保持面向下方的状态,上升的涂布液通过喷嘴与所述涂布面接触,同时使该喷嘴对所述基板的涂布面进行扫描涂布,该形成方法的特征在于,所述抗蚀膜的干燥是在所述基板的涂布面保持向下的状态下,以固定的速度移动所述基板的同时进行干燥的。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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