[发明专利]叠层型光电元件以及电流平衡调整方法无效
申请号: | 200410031301.7 | 申请日: | 2004-03-26 |
公开(公告)号: | CN1542987A | 公开(公告)日: | 2004-11-03 |
发明(设计)人: | 狩谷俊光 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/075;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在包括在支撑体102上顺序叠层了金属层103,下部透明导电层104,由非单晶硅构成的第1n层105,由微晶硅构成的第1i层106,由非单晶硅构成的第1p层108,由非单晶硅构成的第2n层109,由微晶硅构成的第2i层110,由非单晶硅构成的第2p层112的构造的叠层型光电元件中,使得在第1i层106和第2i层110中含有磷(P),当第1i层106中磷对硅的含量比为R1,第2i层110中磷对硅的含量比为R2时,调整为R2<R1,由此能够以高成品率制造具有高变换效率的光电元件。 | ||
搜索关键词: | 叠层型 光电 元件 以及 电流 平衡 调整 方法 | ||
【主权项】:
1.一种叠层型光电元件,包括在支撑体上顺序叠层了金属层、下部透明导电层、由非单晶硅构成的第1n层、由微晶硅构成的第1i层、由非单晶硅构成的第1p层、由非单晶硅构成的第2n层、由微晶硅构成的第2i层和由非单晶硅构成的第2p层的构造,其特征在于:第1i层和第2i层含有磷,当第1i层中磷对硅的含量比为R1,第2i层中磷对硅的含量比为R2时,满足R2<R1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的