[发明专利]一种制备高纯稀土长余辉块体材料的方法无效
申请号: | 200410030867.8 | 申请日: | 2004-04-09 |
公开(公告)号: | CN1563264A | 公开(公告)日: | 2005-01-12 |
发明(设计)人: | 瞿志学;徐晓伟;范慧俐;郑延军;李玉萍 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C09K11/00 | 分类号: | C09K11/00 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种制备高纯稀土长余辉块体材料的方法。具体工艺为:将原料MeCO3、Al2O3、Eu2O3、Dy2O3以及助熔剂硼酸称量配料。其中MeCO3与Al2O3摩尔比为1∶1~1∶1.2,Eu2O3、Dy2O3的加入量均为0.5%~1%(摩尔),并按总质量的8~10%加入硼酸或三氧化二硼。充分混合均匀后,将原料粉体装入反应坩埚中,置于炉内,加热至850℃~1000℃。在此温度下,保温2~3小时。随炉温冷却后,粉碎研细。将研磨后的粉体置于根据使用形状要求设计的成型模具中,加压3~5MPa成为块状。然后放入炉中,升温至1250~1400℃,烧结3~4个小时。反应炉中始终通有弱还原气氛。本发明的优点在于:块体材料纯度高,具有良好的发光效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 高纯 稀土 余辉 块体 材料 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制备高纯度稀土长余辉块体材料的方法,通过对反应原料进行预处理、将预处理原料预压成块、高温焙烧、抛光工艺;其特征在于:具体工艺为:a、将原料MeCO3、Al2O3、Eu2O3、Dy2O3以及以及助熔剂硼酸称量配料,其中MeCO3与Al2O3摩尔比为1∶1~1∶1.2,Eu2O3、Dy2O3的加入量均为摩尔比0.5%~1%,并按总质量的8~10%加入硼酸或三氧化二硼,然后将配好的粉体取装入反应坩埚中,置于炉内,于空气中加热至850℃-1000℃,在此温度下,保温2-3小时,随炉温冷却后,粉碎研细;b、将研磨后的粉体置于根据使用形状要求设计的成型模具中,施加压力3~5MPa,使之成为块状坯体;然后将其放入炉中,以每分钟3~5℃的速度升温至1250~1400℃,烧结3~4个小时;整个烧结过程,反应炉中始终通有比例为8∶2~9∶1的氮氢混合气,作为弱还原气氛;随炉温冷却后,即得到高纯致密长余辉块体材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410030867.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。