[发明专利]形成多晶硅锗层的方法有效
| 申请号： | 200410028649.0 | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1664990A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 褚国栋;程立伟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种形成多晶硅锗层的方法。此方法使用以二硅乙烷Si2H6(Disilane)与含锗气体为前驱物于约500℃至约600℃之间进行反应的化学气相沉积法形成一多晶硅锗层于一闸极介电层之上作为闸极。此多晶硅锗层直接形成于闸极介电层之上且具有均匀平坦的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 多晶 硅锗层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多晶硅锗层的方法，其特征在于，该方法包含：提供一底材，该底材上具有一介电层于其上；及执行一以二硅乙烷Si2H6与含锗气体为前驱物的化学气相沉积制程形成一多晶硅锗层于该介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
