[发明专利]制备低维氮化铝纳米材料的方法无效
| 申请号： | 200410020610.4 | 申请日： | 2004-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1704330A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 贺连龙;李志杰;沈志奇;王福 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体纳米材料，具体地说是一种低维氮化铝纳米材料的制备方法。它以金属铝为原材料作为阳极，以金属钨作为阴极，在氢气和氮气的混合条件下，采用直流电弧等离子体技术进行，其工艺参数为：H2∶N2在体积值比为0.2～1.5条件下，控制总压力在6000～95000Pa范围内，电弧电流为150～300A，气体流量为5～15l/s，点弧时间为0.5小时～6小时。本发明具有纯度高、时间短、操作简单特点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氮化 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备低维氮化铝纳米材料的方法，其特征是：以金属铝为原材料作为阳极，以金属钨作为阴极，在氢气和氮气的混合条件下，采用直流电弧等离子体技术进行，其工艺参数为：H2∶N2在体积比值为0.2～1.5条件下，控制总压力在6000～95000Pa范围内，电弧电流为150～300A，气体流量为5～15l/s，点弧时间为0.5小时～6小时。
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