[发明专利]熔体扩散法制备近化学比铌酸锂晶片的工艺无效
| 申请号： | 200410019723.2 | 申请日： | 2004-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1594169A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 孙骞;崔国新;李玉栋;陆文强;许京军;孔勇发;黄子恒 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C03C21/00 | 分类号： | C03C21/00 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 解松凡 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种对同成分铌酸锂晶片进行锂离子的扩散处理，特别是涉及提高铌酸锂中锂离子的浓度的工艺，以使晶片成为高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片。本发明的技术方案是将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中，用适量锂离子晶体粉末及钾离子晶体粉末将晶片覆盖，使离子晶体粉末熔化，熔液中，钾离子与锂离子数量比在0.2－0.5。并在熔融温度(1000－1200度)恒温1－200小时。随后，降温至室温，通过液体清洗和抛光，清理掉附着在晶片上的离子晶体残留物，最终获得高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片，本工艺相对VTE来说，更为简单方便，更为经济。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 法制 化学 铌酸锂 晶片 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种熔体扩散法制备近化学比铌酸锂晶片的工艺，其特征在于它包括下述步骤：1)将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中；2)用锂离子晶体和钾离子晶体的粉末混合物将晶片覆盖；3)加热坩埚至1000-1200度的温度范围内，这时离子晶体粉末混合物熔化，锂离子从熔融的离子晶体液态混合物中向铌酸锂晶体中扩散，通过1-200小时的处理，提高铌酸锂中锂的浓度；4)降温至室温；5)通过液体清洗或抛光，清理附着在晶片上的离子晶体残留物，最终获得近化学比铌酸锂晶片，晶片中锂与铌的原子个数比在49.5∶50.5-50.0∶50.0。
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