[发明专利]多孔膜的处理方法有效
| 申请号： | 200410018231.1 | 申请日： | 2004-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1697123A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多孔膜的处理方法，在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体或物理汽相淀积介质膜处理，淀积膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm孔。所淀积的硅化物膜是，例如，二氧化硅膜(SiO2)，或SiON膜，或SiN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、多孔膜的处理方法，其特征是，包括以下步骤：在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体处理，淀积膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm孔，处理的条件是：等离子体处理的条件是：在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，衬底的加热温度为200℃到400℃所加的射频(RF)功率为50W到200W，形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，随后，已形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽(TaN)和铜(Cu)膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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