[发明专利]合成硒化镉和硒化镉硫化镉核壳结构量子点的方法有效
申请号: | 200410011299.7 | 申请日: | 2004-12-03 |
公开(公告)号: | CN1645559A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
发明(设计)人: | 潘道成;王强;姬相玲;蒋世春;安立佳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春应用化学研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L33/00;H01L31/18;H05B33/12;H01S5/00;B82B3/00;C01B21/00;C01B17/00;C01G11/00;C09K11/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 130022吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供一种硒化镉和硒化镉/硫化镉核壳结构量子点半导体发光材料的合成方法,采用氧化镉、碳酸镉、烷基羧酸、油酸、硒脲、硫脲为原料,在油酸或三正辛基氧化膦或十二烷基胺、十六烷基胺、十八烷基胺的包覆下,烷基羧酸镉或油酸镉的甲苯溶液与硒脲或硫脲的水溶液在界面反应形成半导体纳米微粒,且稳定地存在于甲苯中,所制备的半导体纳米颗粒在紫外灯能实现波长可调的可见光。 | ||
搜索关键词: | 合成 硒化镉 硫化 镉核壳 结构 量子 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备硒化镉和硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的方法,其特征在于原料为烷基羧酸镉与硒脲或油酸镉与硒脲,镉盐与硒脲的摩尔比为1-10∶10-1;烷基羧酸镉或者油酸镉由氧化镉或碳酸镉与碳链长为2~18的烷基羧酸或油酸反应制备,氧化镉或碳酸镉与有机酸的摩尔比为1-5∶5-1,然后加入有机包覆剂和甲苯,包覆剂与镉盐的摩尔比为100-1∶1-10,最后加入硒脲的水溶液,硒脲与镉盐的摩尔比为10-1∶1-10,在50-280℃条件下反应0.25h-2h,得到含有硒化镉半导体纳米微粒的透明溶胶,以合成的硒化镉为原料,溶于甲苯中,再加入有机酸镉和有机包覆剂,所需的有机酸镉与合成硒化镉所需的有机酸镉的摩尔比为1-5∶5-1,有机包覆剂与有机酸镉的摩尔比为10-1∶1-10,最后加入硫脲的水溶液,硫脲与镉盐的摩尔比为10-1∶1-10,在50-280℃条件下反应0.5h-12h,分离有机相,得硒化镉/硫化镉核壳结构量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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