[发明专利]制备低温无催化剂针状Zn0纳米线的方法无效
| 申请号： | 200410011281.7 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1727524A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 孟秀清;申德振;张吉英;赵东旭;董林;吕有明;刘益春;范希武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/16;C30B29/62 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李恩庆 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，是一种制备低温无催化剂针状ZnO纳米线的方法。首先对衬底进行处理。将Zn源放于石英舟内，衬底垂直放于Zn源上方3－5毫米，然后将石英舟置于石英管中间，并将其作为一个整体置于封闭加热系统中。对管式炉进行加热，使其迅速升温至反应温度430℃－520℃。在达到反应温度前向体系内通高纯Ar，达到反应温度后将高纯Ar改为普N2。在该温度下反应20－30分钟，然后将普N2改为高纯Ar并停止对系统加热。 整个过程用机械泵对封闭加热系统进行抽低压至为1－10托。本发明既可以在低温下生长，又不需要在衬底上沉积任何催化剂，与其它方法相比设备简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 低温 催化剂 针状 zn0 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备低温无催化剂针状ZnO纳米线的方法，首先对衬底进行清洁处理，其特征是将Zn源放于石英舟内，衬底垂直放于Zn源上方3-5毫米，然后将石英舟置于石英管中间，并将其作为一个整体置于封闭加热系统中，对封闭加热系统进行加热，使其迅速升温至反应温度430℃；在达到反应温度前向封闭加热体系内通高纯Ar，流量为120-170毫升/厘米3，达到反应温度后将高纯Ar改为普N2，流量为120-170毫升/厘米3；在该温度下反应20-30分钟，然后将普N2改为高纯Ar并停止对封闭加热系统加热；整个过程用机械泵对封闭加热系统进行抽低压至为1-10托；在封闭加热系统温度降至室温后将样品取出。
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