[发明专利]内连接线最低阻挡层厚度的预测方法

摘要

本发明涉及集成电路设计中对内连接线最低阻挡层厚度的预测方法。此方法根据纳米晶体熔化模型和扩散公式推导出了尺寸依赖的扩散模型，结合尺寸依赖的扩散模型和菲克第二定律，建立了集成电路内连接线阻挡层最低厚度(d_c)与温度(T)和使用时间(t_c)的解析联系，即：。该方法能够便捷、准确的预测不同材料最低阻挡层厚度，因而为内连接线阻挡层的材料、结构设计提供了简捷可靠的设计手段。

主权项

1.一种集成电路中内连接线最低阻挡层厚度的预测方法，其特征是当制作集成电路中内连接线阻挡层材料及使用寿命年限被确定之后，即可按以下公式求得内连接线阻挡层的最低厚度：$t_c=\frac{{d_c}^2\exp \left[\frac{E(\infty )}{\mathrm{RT}}\exp \right[-\frac{2S_m(\infty )}{3R}\frac{1}{d_c/\left(2h\right)-1}\left]\right]}{13D_0}$ 式中dc为内连接线阻挡层最低厚度；tc为使用寿命年限；T为最高工作温度；D0为内连接线材料的扩散常数；E(∞)为内连接线材料的扩散激活能；Sm(∞)为内连接线材料的熔化熵；h为内连接线材料的原子直径；R为理想气体常数。