[发明专利]多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200410010983.3 | 申请日： | 2004-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1595662A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王丽杰;张彤;李传南;赵毅;侯晶莹;刘式墉 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张景林 |
| 地址： | 130023吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，由绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成，SiO2缓冲层(51)上还生长有一层栅电极绝缘层(52)，在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。 | ||
| 搜索关键词： | 多栅双 沟道 结构 多晶 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、多栅双沟道结构的多晶硅薄膜晶体管，由绝缘材料基底(1)、在基底上顺次生长的SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成，其特征在于：SiO2缓冲层(51)上生长有一层栅电极绝缘层(52)，在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)；漏区(3)和源区(4)的底部与沟道(6)相接触。
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