[发明专利]背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法

摘要

本发明涉及背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构包括：微通道部分1和进出水底座2。方法是用高导热金属材料加工微通道边框，由半圆柱型槽和微通道区构成的微通道胚体，用高导热金属材料制备进出水底座包括互通的管道和小通道区，将微通道胚体，微通道边框和进出水底座组装。本发明微通道的侧壁与微通道顶壁为一体化结构，避免背景技术中分层结构连接时引入的附加热阻提高了器件整体散热能力；采用水流90。折转进入微通道区时，以圆弧型切入微通道区方式，大大降低了水流局部压降，提高了热沉整体性能；热沉整体结构连接过程中，涉及到热沉微通道区域的焊接只有一个微通道底面，大大降低了微通道结构受损的几率，简化了工艺难度和制作成本。

主权项

1、背冷式高功率半导体激光器微通道热沉制备方法，其制备步骤如下：A.首先选取高导热金属材料加工成尺寸为x×y×z的微通道胚体并胚体上加工出两个孔径为R1的通孔，通孔的孔心在微通道胚体中x×z矩形截面上的坐标分别为和通孔外边缘距离微通道胚体边界为v；B.把步骤A等分切割成两部分，每部分尺寸为然后使用其中一部分；C.由步骤B的切割面向步骤B内部按所需尺寸垂直切割出所需数量、深度为的微沟道，微沟道方向与微通道胚体的x边平行；D.再选取与步骤A相同的高导热金属材料加工出尺寸分别为和的金属薄片各两片；E.再选取高导热金属材料加工成尺寸为(x+w)×(y+w)×u的底座胚体；F.由步骤E中的(x+w)×u面垂直向底座胚体内部打出进水孔和出水孔，进水孔和出水孔的孔径为R2且R2＞R1，进水孔和出水孔孔深小于y+w；G、由步骤F中(x+w)×(y+w)面垂直向底座胚体内部打入直径为R1的若干个孔构成小通道区，使若干个孔与步骤F中进水孔和出水孔分别相通；H、将步骤D、E、G的表面抛光清洗干净并焊接在一起，从而完成背冷式高功率半导体激光器列阵微通道热沉的制作。