[发明专利]背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法无效
申请号: | 200410010868.6 | 申请日: | 2004-05-24 |
公开(公告)号: | CN1671019A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 尧舜;王立军;刘云;张彪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H05K7/20 |
代理公司: | 长春科宇专利代理有限责任公司 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 130031吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 背冷式高 功率 半导体激光器 通道 结构 制备 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200410010868.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制备烷硫基胺衍生物的方法
- 下一篇:烯烃聚合用催化剂及其制备和聚合方法