[发明专利]集成太阳电池的制备方法无效
| 申请号： | 200410009993.5 | 申请日： | 2004-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1787233A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陈诺夫;白一鸣;王晓晖;陆大成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/04;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步骤4：连线、封装，将多个分隔的单元电池制成集成化太阳电池芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：采用多次刻蚀、镀膜及合金工艺将太阳电池外延片分隔成多个单元；步骤4：连线、封装，将多个分隔的单元电池制成集成化太阳电池芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
