[发明专利]一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法无效
申请号: | 200410009937.1 | 申请日: | 2004-12-02 |
公开(公告)号: | CN1632964A | 公开(公告)日: | 2005-06-29 |
发明(设计)人: | 姜勇;于广华;王燕斌 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/15 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片,通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于:巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合,大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 磁电 效应 磁性 隧道 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结,其特征在于:由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层7层金属膜组成;具体结构为:隧道结的最底层为1~20纳米厚的金属铜,称为底电极层;从底往上第二层为10~20纳米厚的反铁磁的铱锰合金层;从底往上第三层为铁磁性的钴铁合金,厚度为1~10纳米;从底往上第四层为绝缘层三氧化二铝,厚度为1~2纳米,为耦合层;从底往上第五层为铁磁性的钴铁合金,厚度为1~10纳米;从底往上第六层为一层金属钌层,厚度为0.4~1纳米;从底往上第七层为1~20纳米的金属铜,为顶电极层。
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