[发明专利]一种二硼化镁超导体的制备方法无效
| 申请号： | 200410009009.5 | 申请日： | 2004-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1683281A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 马衍伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;//C04B101∶00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;刘秀娟 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种二硼化镁超导体的制备方法。其特征是利用强磁场来制备二硼化镁超导体。按化学计量比配制的镁粉和硼粉混合均匀后，经相应的工序得到块状样品或带状样品；然后将块状样品或带状样品分别置于具有Ar气氛的强磁场加热炉中，在磁场强度0－30特斯拉、温度600～950℃下保温1～3小时后，关闭磁场和热处理炉电源，使样品随热处理炉冷却至室温。本发明可有效改善晶粒的连接性，大大提高二硼化镁超导体的临界电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二硼化镁 超导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种二硼化镁超导体的制备方法，其特征在于其工艺步骤依次如下：(1)按化学计量比(0.7-1)∶2配制的镁粉和硼粉充分混合均匀；(2)将混合后的镁粉和硼粉装入模具中，利用普通小型压片机压制成小片，得到块状样品；(3)或将混合后的镁粉和硼粉装入金属包套管中，经孔型轧制(或旋锻、拉拔等)得到线材，然后再经平辊轧制后，得到带状样品；(4)然后将块状样品或带状样品分别置于具有Ar气氛的具有超导强磁场的热处理炉[1]中的样品架[2]上；(5)开启强磁场装置[4]和热处理炉[1]的电源，样品[3]在磁场强度0-30特斯拉、温度600~950℃下保温1~3小时后，关闭磁场和热处理炉[1]电源，使样品[3]随热处理炉[1]冷却至室温，取出样品[3]，从而制得二硼化镁超导体。
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