[发明专利]利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法无效
| 申请号： | 200410004148.9 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1654211A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈苇霖;胡宏盛;彭明忠 | 申请（专利权）人： | 明基电通股份有限公司 |
| 主分类号： | B41J2/05 | 分类号： | B41J2/05;B41J2/14;B41J2/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用多重牺牲层的移除以扩张流体腔的制造方法。在基底与结构层之间形成多于一种的牺牲层，并利用不同牺牲层对蚀刻液具有不同蚀刻速率的特性，在流体腔与流体通道间形成一狭小区域，以获得提高喷射稳定度的功效。此外，可在同一晶片中利用此项技术，制造出不同深度的流体腔，达到同一晶片可喷射出不同大小液滴的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 多重 牺牲 扩张 流体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用多重牺牲层扩张流体腔的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；在所述基底上形成一构图的第一牺牲层；在所述基底上形成一构图的第二牺牲层，该第二牺牲层覆盖所述构图的第一牺牲层，其中所述第一牺牲层与第二牺牲层的材料不同；在所述基底上形成一结构层，该结构层覆盖所述构图的第二牺牲层；形成一穿过所述基底的流体通道，以露出所述第二牺牲层；移除所述第二牺牲层以形成一流体腔；以及扩大该流体腔。
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