[发明专利]包含介电层的电子器件的制备方法无效
| 申请号： | 200410001482.9 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1506987A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 福井隆史;渡边康夫;高桥三喜夫;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;H01B3/12;C04B35/465;C04B35/48;C04B35/49 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏;段晓玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中X满足0≤x≤1.00，所述组成通式中Y满足0≤Y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’ | ||
| 搜索关键词： | 包含 介电层 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备包含介电层的电子器件的方法，所述介电层包括含有以组成通式(AO)m·BO2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的元素A是选自Sr、Ca和Ba的至少一种元素，而所述组成通式中的元素B是选自Ti和Zr的至少一种元素，其特征为通过采用以组成通式(AO)m’·BO2表示的材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。
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