[发明专利]背面照射型摄像元件无效
申请号: | 200380109754.0 | 申请日: | 2003-12-26 |
公开(公告)号: | CN1748313A | 公开(公告)日: | 2006-03-15 |
发明(设计)人: | 江藤刚治;武藤秀树 | 申请(专利权)人: | 江藤刚治;株式会社岛津制作所 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H01L27/148 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种背面照射型摄像元件,其包括转换层(23)、电荷收集部(24)以及抑制区域(23、29)。转换层(23)设于入射线射入的入射面(102)侧,将入射线转换成信号电荷并且分别关于构成二维排列的多个像素进行设置。电荷收集部(24)从所述转换层(23)向与所述入射面(8)相反的表面(22)侧延伸,收集在转换层(23)产生的信号电荷。抑制区域(23、29)设于转换层(23)与周边电路(26)之间,抑制信号电荷从转换层(21)向周边电路(26)流入。 | ||
搜索关键词: | 背面 照射 摄像 元件 | ||
【主权项】:
1.一种背面照射型摄像元件,其特征在于,包括:转换部,其设于入射线射入的入射面侧,将所述入射线转换成信号电荷并且相对于构成二维排列的多个像素的每一个;电荷收集部,其从所述转换部向与所述入射面相反的表面侧延伸,收集在所述转换部产生的信号电荷;电荷处理部,其设于所述表面侧,处理由所述电荷收集部收集的信号电荷;抑制区域,其设于所述转换部与所述电荷处理部之间,抑制所述信号电荷从所述转换部向所述电荷处理部流入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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