[发明专利]用于均匀加热基片的腔室有效
| 申请号： | 200380109616.2 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1748285A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 稻川真;细川昭弘 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘志平 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在第一方面，设置有用于加热基片的第一装置。该第一装置包括：(1)具有底部和顶部的处理室；(2)多个在上述室内设置的经加热了的支承件，用以支承其上的至少两个基片；(3)在上述室内设置在上述室的侧壁和多个基片支承件之间的加热器，具有边缘区和中央区。上述加热器被设计成相比在加热器的中央区内，在边缘区内能够产生更多的热量。而且还提供有其他的方面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 均匀 加热 | ||
【主权项】：
1、一种用以加热基片的装置，包括：具有底部和顶部的处理室(chamber)；多个在上述室内设置的经加热了的支承件，用以支承其上的至少两个基片；在上述室内且设置在上述室的侧壁和多个基片支承件之间的加热器，具有边缘区和中央区，上述加热器被适于相比在中央区内，在边缘区内能够产生更多的热量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
