[发明专利]固态成像器件、在该固态成像器件中转移电荷的方法、以及制造该固态成像器件的方法无效
申请号: | 200380109199.1 | 申请日: | 2003-12-12 |
公开(公告)号: | CN1742374A | 公开(公告)日: | 2006-03-01 |
发明(设计)人: | 松本光市 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邸万奎;黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 解决了当转移通过接收长波长光而产生的信号电荷时噪声信号被混合到该信号电荷中的“污染”问题。一种具有光传感器和电荷转移部分的多层结构的固态图像拾取器件,其中该光传感器包括第一光传感器(21)以及用于接收具有比所述第一光传感器(21)接收的光的波长小的波长的光的第二光传感器(22),所述第一和第二光传感器(21,22)安排为彼此相邻,其间插入有势垒壁部分(12),在第一光传感器(21)之下提供用于将第一光传感器(21)产生的电荷转移到在第二光传感器(22)之下安排的电荷转移部分(50)的读取门(42)。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 转移 电荷 方法 以及 制造 | ||
【主权项】:
1.一种固态图像拾取器件,包括光传感器部分,提供在基底中,作为包括第一光传感器以及用于接收具有比所述第一光传感器接收的光束波长小的波长的光束的第二光传感器的部分;电荷转移部分,提供在所述基底中的所述第二光传感器之下;以及读取门,提供在所述基底中的所述第一光传感器之下,作为用于将作为所述第一光传感器执行光电转换处理的结果而获得的电荷传输到所述电荷转移部分的门。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380109199.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于在存储区域网之间传输数据的方法和设备
- 下一篇:高性能自旋阀晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的