[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200380103808.2 | 申请日： | 2003-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1714430A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 中西敏雄;西田辰夫;尾崎成则 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明，当氮化处理硅基板表面时，在等离子体产生部和硅基板之间配置具有开口部的隔板，控制为硅基板表面的电子密度是1e+7(个·cm－3)～1e+9(个·cm－3)。根据本发明，有效地抑制了硅基板和氮化膜的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体处理装置，对配置在处理容器内的硅基板，使用等离子体进行氮化处理，其特征在于：在等离子体产生部和所述硅基板之间配置具有开口部的隔板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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